材料科学姑苏实验室2021年博士后招聘启事

材料科学姑苏实验室是瞄准国家实验室建设标准和国际一流水平,服务国家重大工程战略需求,立足苏州现有科研基础与发展要求,集聚国内外创新资源,与科研院所、高等院校、龙头企业协同建设的新型的研发机构。目前注册为苏州市事业法人,已获批准为首批“江苏省实验室”,正在争取成为省级科研单位。实验室坐落在苏州工业园区,总部规划用地不少于500亩,10年建设资金总额200亿元。

姑苏实验室以独立法人事业单位实体化运行,实行理事会领导下的实验室主任负责制。基于“组织支撑流程,流程支撑业务”的理念设立组织模块,创新实践“主建”和“主战”相结合的矩阵式管理理念,探索符合科技创新规律和市场经济规律,引领未来科技、产业发展与国际接轨的各类新型管理体制机制。

 

姑苏实验室的建设目标是紧扣材料科学领域中的国家重大战略需求、区域经济发展重大需求以及未来科技革命的前沿技术“三大重点”,以突破国家重大战略需求、攻克区域产业重大技术瓶颈、解决行业重大科技问题为使命,通过五年左右的一期建设,集聚1000名以上的科研、技术及管理人才,建成具有国际一流水平的材料研发、分析表征、仿真模拟等公共平台,突破一批材料科学领域核心基础科学问题和关键共性技术问题;通过二期建设,到2030年,姑苏实验室力争跻身世界一流材料实验室行列,成为具有全球影响力的国际化创新策源地、国家材料战略性科技创新基地。

欢迎全球有志于电子信息材料、能源环境材料、生命健康材料等研究领域的优秀才俊加盟,共同致力于材料领域的科研创新!

 

① 岗位描述和应聘条件

序号 项目研究方向 招聘人数 专业方向 候选人基本条件
1 超导量子器件(器件工艺开发)

(G201&202)

3 半导体、微电子 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、有较强的微纳加工基础,熟练掌握版图设计、紫外光刻、电子束曝光、薄膜生长、刻蚀、封装等工艺,有硅基和III-V半导体器件、超导电子器件的加工经验者优先;

3、沟通能力强,具有合作精神,能够独立承担器件研究和工艺开发工作;

4、有良好的英文阅读和写作能力。

2 超导量子器件(量子器件设计及测控)

(G201&202)

7 物理、微电子、微波工程、电子信息技术 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、有固态量子器件设计、测控和分析经验者优先;

3、深入理解量子电动力学或量子光学,了解开放量子系统理论,熟悉低温测试系统。

3 超导量子器件(材料微波损耗测试)

(G201&202)

3 物理、电子信息技术、材料、微波 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、具备三年以上微波工程、微波器件设计、器件电磁场模拟及测试相关工作经历;

3、深入理解材料微波损耗机理;

4、有微波器件设计及微波损耗测试经验者优先

4 超导量子器件(固态量子芯片退相干微观机理研究)

(G201&202)

2 物理、电子信息技术、材料、微波 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、具备三年以上材料微观物性研究、及测试相关工作经历,有较强的量子器件及量子材料功底,精通前沿的高精密量子器件表征,如STM/AFM表征、电子自旋共振表征、钻石NV 色心探针表征、Scanning SQUID表征等;

3、深入理解材料微波损耗机理;

4、有微波器件设计及微波损耗测试经验者优先

5 高精度动态三维智能视觉芯片与系统核心技术开发

(G203)

6 计算机、通信、自动化等相关专业 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、有较好数学基础,较强的图像处理算法设计能力;

3、在计算成像、图像处理等领域具有相关研究成果或开发经验;

4、较强的论文检索,英文专业文献阅读能力;

5、了解双目、结构光、ToF等一种或者多种技术者优先。

6 MOCVD/MBE外延与器件验证

(G2101)

3 半导体材料生长、半导体光电子器件、微电子学与固体电子学、材料学、物理学、真空技术等相关专业; 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、了解并熟悉掌握MOCVD/MBE设备研发制造及生长技术;

3、根据外延材料测试与下游器件的结果反馈,进行外延工艺的优化与改进;

4、对MBE外延产品分析检测,数据分析,形成报告和技术文档;

5、熟悉外延产品知识和相关应用,熟练操作所负责的仪器和软件,能独立设计实验和分析实验结果;

6、熟悉了解外延片各类表征手段,如XRD,PL,ECV,AFM等,同时根据要求的材料结构研发和编写外延生长工艺

7 基于超表面的光谱调制结构设计

(G2102)

1 材料、电子、微电、精仪等 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、微电子、电子工程、半导体物理、材料等相关专业硕士及以上学历,研究生阶段从事过光子晶体、超材料方面的研究。

3、有较好的数理基础,能深刻理解微纳结构与电磁波的相互作用,熟练使用FDTD、Rsoft、RCWA等进行电磁波仿真。

4、根据公司业务需求,完成微纳结构的仿真设计,配合测试结果优化结构设计。

5、熟练使用Tanner Tool或klayout等版图设计软件者优先,有一定的代码能力者优先

8 快速高精度光谱重建算法研究

(G2102)

1 材料、电子、微电、精仪等 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、数学、计算机等相关专业,具备扎实的数学基础和数据处理经验;

3、熟悉并可以应用多种机器学习模型。包括但不限于线性模型、树模型、概率图模型、聚类模型、深度学

习模型、多任务学习、迁移学习、强化学习、整数规划算法、VRP算法(其中若干种即可);

4、熟练掌握python和C++;

5、有算法部署经验者优先;

6、责任心强,善于学习新事物,有较强的分析问题和解决问题的能力。

9 融合人工智能的材料结构搜索策略和方法

(G2103)

1 计算材料学&人工智能 1、 国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、熟悉C++, Python等;熟悉主流的开源深度学习框架如PyTorch, TensorFlow等;如有遗传算法、粒子群算法经验更佳。

10 高精度超高带宽量子比特读取技术

(G2113)

1 物理电子学/电子学相关专业 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、具备高速模拟电路设计、FPGA程序设计经验

11 退役动力电池材料回收与再生

(G2116)

4 选矿,湿法冶金,材料(新能源材料),化工,LCA,有机合成,生物合成专业 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、具备深厚的电化学/锂电材料合成/测控、智能识别/选矿/湿法冶金的理论知识;

3、能够独立开展研究平台搭建和开展课题研究;

12 晶圆级微透镜阵列光学芯片

(G2118)

1 自动化 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、具有3年以上微纳加工(光刻、刻蚀、SEM检测)经验者优先;                                                                         3、 精通衍射光学,微纳光子学理论基础和设计技巧,具有实际设计的成功经验;

4、熟悉相关的微纳加工技术,了解相关的核心设备型号和操作规程,并了解制作过程所需材料;

5、精通光刻、纳米压印、电镀、印刷、精通薄膜等技术,并能熟练使用日常分析及检测仪器。

13 晶圆级微透镜阵列光学芯片

(G2118)

1 微电子与固体电子学 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、至少熟练掌握Matlab编程语言,简历必须包含以Matlab语言撰写的代码内容,熟练掌握C/C++或Python等编程语言者更佳;

3、有扎实的傅里叶变换、概率论、线性代数功底(相关课程成绩优秀);

4、熟悉数字信号处理、统计信号处理、阵列信号处理、雷达者优先考虑。

14 连续喷墨打印技术研究

(G2120)

6 电子工程、自动化、机械工程,材料,电子,微电,物理 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、具有MEMS器件、PZT压电薄膜制备、传感器件(Sensor)、制动器件(Actuator)或其他半导体器件研究基础和经验;

3、熟悉常见的MEMS芯片制备工艺:光刻、深硅刻蚀、键合等;

4、较强的论文检索,英文专业文献阅读和撰写能力。

15 OLED/QLED显示材料的设计合成与开发

(G2120)

6 有机/物理化学/高分子化学;微电;材料;光学 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、有扎实的有机分子材料设计与合成的基础和经验;

3、具有3年以上的OLED/QLED或其它有机光电器件的研究经历;

4、较强的论文检索,英文专业文献阅读和撰写能力。

16 半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究

(微聚焦电子束(10微米级别、动态扫描)、光电子调制检测)

(G2121)

2 真空电子学 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、有较好物理基础;

3、在磁偏转电子束、电子透镜等领域具有相关研究成果或开发经验;

4、较强的论文检索,英文专业文献阅读能力;

5、有XPS使用维护经验者优先。

17 半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究

(X射线单色化调制)

(G2121)

1 光学 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、有较好光学基础;

3、在光束聚焦等领域具有相关研究成果或开发经验;

4、较强的论文检索,英文专业文献阅读能力;

18 半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究

(自动化控制)

(G2121)

1 自动化 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、有较好自动化基础;

3、在仪器自动化领域具有相关研究成果或开发经验;

4、较强的论文检索,英文专业文献阅读能力;

19 半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究

(数据分析反馈)

(G2121)

1 计算机,人工智能 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、有较好计算机基础,较强的算法设计能力;

3、在大数据、人工智能等领域具有相关研究成果或开发经验;

4、较强的论文检索,英文专业文献阅读能力;

20 AlGaN深紫外LED外延生长、AlGaN深紫外LED器件工艺

(G2122)

4 半导体材料与器件、光电子 1、国内外著名大学博士学位获得者,年龄35岁以下,毕业3年以内;

2、具有化合物半导体材料外延生长、光电子或功率电子器件的研究背景;

3、了解相关领域国内外最新研究进展,具有扎实的专业基础知识和实验技能、及较强的英语读写能力,在前期学习/工作过程中做出同行认可的成绩;

4、具有较强的团队合作精神、责任心和独立开展工作的能力,动手能力强,认真细心,踏实肯干,善于沟通,有意长期从事氮化物半导体材料与光电子器件的研发及产业化工作;

5、具有AlGaN基深紫外LED材料MOCVD外延生长或芯片工艺研发经验者优先考虑。

 

② 相关待遇

(一) 薪资待遇:协议年薪25万起,成功进站工作者额外获得2年18万生活补贴。

(二) 人才项目:实验室支持符合条件的博士后进站人员竞争性申报国家“博新计划”、国际交流计划引进项目、博士后基金站前特别资助等。

(三) 职称评定:在站期间可参与申报自然科学研究系列职称。

(四) 科研项目:按照相关规定,申请国家、省市各类科研项目。

(五) 在职培训:提供相关专业与技术能力培训的机会。

(六) 其他福利:高标准缴纳五险一金、年度体检、节日福利等。

③ 应聘材料及方式

(一)基本材料:应聘登记表、简历、学历/学位证书、身份证复印件等;

(二)证明材料:文章列表、发明专利、获奖证书复印件等相关证明本人能力及水平的证明材料;

(三)请将上述材料以“项目研究方向+姓名”命名发送至邮箱:hrzp@gusulab.ac.cn

(四)姑苏实验室官方网站:www.gusulab.ac.cn。

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